雪崩,雪崩二極管內置,器件,靜電毀壞原因等-漲知識必讀
信息來源：本站 日期：2017-09-29
假如在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且到達擊穿電壓V(BR)DSS （依據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發作毀壞的現象。在介質負載的開關運轉斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而招致毀壞的形式會惹起雪崩毀壞。典型電路：
由超出安全區域惹起發熱而招致的。發熱的緣由分為直流功率和瞬態功率兩種。直流功率緣由：外加直流功率而招致的損耗惹起的發熱
●導通電阻RDS(on)損耗（高溫時RDS(on)增大，招致一定電流下，功耗增加）
●由漏電流IDSS惹起的損耗（和其他損耗相比極小）瞬態功率緣由：外加單觸發脈沖
●負載短路
●開關損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關的）
●內置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關的）器件正常運轉時不發作的負載短路等惹起的過電流，形成瞬時部分發熱而招致毀壞。
另外，由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時，持續的發熱使溫度超出溝道溫度招致熱擊穿的毀壞。
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