增強(qiáng)型是基本的MOS晶體管

在前面涉及的MOS晶體管的工作中，NMOS晶體管的閾值電壓VTN是正值，當(dāng)VGS= OV時(shí)就沒(méi)有漏極電流流動(dòng)，這樣的晶體管稱(chēng)為增強(qiáng)型晶體管( enhancementtransistor)。圖2.10示出增強(qiáng)型NMOS晶體管的電流-電壓特性。

耗盡型—使VGS=OV也有漏極電流流動(dòng)的器件

與此相對(duì)應(yīng)，也能制造出具有負(fù)閾值電壓的NMOS晶體管。如圖2.11所示，柵氧化膜下方是高濃度的n型摻雜層，那么即使VGS=OV，也可以形成電子流的通路，使漏極電流流動(dòng)，這樣的晶體管稱(chēng)為耗盡型晶體管(depletion transistor)。增強(qiáng)型NMOS晶體管的閾值電壓VTN在ov以上，而耗盡型NMOS晶體管的閾值電壓VTN則在OV以下。

相反，PMOS晶體管中，增強(qiáng)型晶體管的閾值電壓是OV以下，而耗盡型PMOS晶體管的閾值電壓則在ov以上。

圖2. 12示出耗盡型NMOS晶體管的電流—電壓特性。表2.2列出了MOS晶體管的種類(lèi)以及閾值電壓的極性。

耗盡型MOS晶體管的OFF狀態(tài)發(fā)生在柵極加負(fù)的電壓，使柵極—源極間電壓處于VGS

耗盡型晶體管對(duì)于模擬電路設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是一種很方便的器件。例如，使用耗盡型晶體管的1V以下的電源電壓下工作的rail to rail工作的OP放大器。另外，如圖2. 14所示，柵極和源極接地的耗盡型NMOS晶體管可以作為電流源使用。由于VGS=o，所以漏極電流可以表示為