場(chǎng)效應(yīng)管TMOS,VMOS

MOSFET構(gòu)造，從縱剖面來(lái)看，柵極（柵區(qū)）、源極（源區(qū)）、漏極（漏區(qū)）大致排列在同不斷線上，這樣的構(gòu)造被稱(chēng)為橫向溝道(Ltcral Channel)構(gòu)造。同時(shí)，柵極，精確一點(diǎn)說(shuō)是“柵區(qū)”與漏區(qū)、源區(qū)的分界面大致也是平面狀的，這種柵極構(gòu)造稱(chēng)為平面柵極(Planar Gate)構(gòu)造。

上述構(gòu)造的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)電容小，比擬合適于高頻小功率應(yīng)用，缺乏之處是源極與漏極相距比擬遠(yuǎn)，導(dǎo)電溝道的寬度有限，不太合適于功率應(yīng)用。“凹槽。形的“槽柵”(Trench Gate)構(gòu)造可以增加?xùn)艆^(qū)與源區(qū)和漏區(qū)的接觸面積，增加對(duì)電流的控制才能。垂直溝道構(gòu)造是將源極與漏極配置在柵極的-側(cè)，漏極與源極則是相向排列，這樣的溝道構(gòu)造縮短了溝道長(zhǎng)度，合適于大電流應(yīng)用。

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管大都采用“垂直”溝道和“槽柵”構(gòu)造，合起來(lái)簡(jiǎn)稱(chēng)“溝槽柵”結(jié)構(gòu)。電子顯微鏡下的照片以顯現(xiàn)兩種溝道和柵極構(gòu)造的主要區(qū)別（圖1.14）。

TMOS (TrenchMOS)的稱(chēng)號(hào)固然指的是槽柵構(gòu)造的MOSFET，但由于槽柵與垂直溝道常常是同時(shí)應(yīng)用的，因而它也同時(shí)指垂直溝道構(gòu)造，即“溝槽柵。構(gòu)造的功率MOSFET。

最先應(yīng)用的槽柵構(gòu)造的剖面外形與英文字母“v”很類(lèi)似（圖1. 15），VMOS的最初稱(chēng)號(hào)就是由此而來(lái)，它是“V-groove Vertical Metal Oxide Semiconduc-tor”的縮寫(xiě)，曾經(jīng)簡(jiǎn)稱(chēng)為“VVMOS”，至今依然可以在一些公開(kāi)的材料中見(jiàn)到。這種依據(jù)柵極（柵區(qū)）的剖面外形停止的技術(shù)命名辦法也被沿用了下來(lái)，以后陸續(xù)呈現(xiàn)了UMOS、πMOS等

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