場效應管是什么樣的元器件，以及全控制型晶體管有哪幾大類
信息來源：本站 日期：2017-08-17
場效應管的個性
目前，曾經適用化的全控型晶體管大致有這么幾大類：BJT、FET、IGBT,GTO(Gatc Turn-Off Thyristor，可關斷晶閘管）、1GCT (Integrated Gatc-Com-mutated Thyristor，集成門極單向晶閘管)。IGBT、GTO、IGCT -般只用于電流開關放大，即大功帶領域，而不會用于小信號電壓放大范疇，因而常常將三者劃歸功率半導體、半導體范疇。同時跨兩個范疇的是BJT和FET。
所謂全控型，指的是僅僅依托控制端子（基極／柵極／控制極）的信號，晶體管能夠自主翻開和關斷，可控硅的控制極只能控制開的動作，卻不能關閉可控硅，這樣的器件稱為半控型半導體器件。
GTO和IGCT固然屬于全控型器件，但實踐上是應用了集成技術，集成了若干控制電路，固然對外電路而言依然是三端器件（適用的IGCT常常是一個基于印制板的電路組件），但它們的內部曾經不是單一的硅片構造。從實踐應用上來說，晶體管的導通實踐上能夠有兩種狀態(tài)：放大與飽和導通，前者用于電壓放大，后者用于電放逐大，GTO與IGCT實踐上只要后者。
從這個意義上來說，比擬地道的全控型半導體器件實踐上只要BJT、FET、IGBT。基于這些理由，本節(jié)以BJT、FET、IGBT為例來看一下FET的典型特征（個性）。
1．FET是壓控型器件
這一點IGBT與之相同。 BJT的基極需求電壓和電流才干使BJT導通，簡單地說，BJT的控制需求一定的功率。FET的柵極只需求一個控制電壓即可，控制功率能夠疏忽。當然，由于結電容的存在，高頻應用時，壓控型器件依然要耗費一定的控制功率，在這一點上，BJT也是一樣的，只不過結電容耗費的功率與基極所需求的驅動功率相比，常常是能夠疏忽的。
2．偏置特性有些不同：常開與常閉
在常態(tài)下，JFET是導通的，而BJT則是關閉的，就像一扇門，關于BJT而言，這扇門是關閉的，而關于JFET，這扇門是翻開的，我們所需求的控制，前者的目的是翻開，然后者是將其關閉。
在常態(tài)下，加強型MOSFET與BJT 一樣都是關閉的，但是狀況并不完整相同，只需有偏置電壓，BJT就會翻開，而MOSFET則至少需求1V以上，通常是4-5V，這個電壓稱為“開啟閾值電壓”或者“門限電壓”。就像一扇門，BJT足一扇光滑十分好的門，只需稍稍用力，或者只需有推門的力存在，哪怕是一陣微風，都能使門翻開一條縫；加強型MOSFET則是一扇裝有閉門器的門，推門的力需求到達一定的水平，門才會開端翻開。
3．呈拋物線關系的轉移特性
所謂轉移特性，大致是指存飽和導通條件下的輸入信號對輸出信號的控制特性，即控制信號變化時，輸出信號的變化規(guī)律。詳細到FET，是指漏極電流與柵極電壓的關系。
FET的轉移特性大致為拋物線，也能夠描繪為漏極電流與柵極電壓為平方率關系。有這種轉移特性的半導體器件沒有三次交調噪聲，也沒有更高次諧波的調制噪聲。
所謂交調噪聲，也叫交擾調制噪聲，是指兩個不同頻率的信號在同一器件中相互調制而產生的一種噪聲。交擾調制和調制噪聲是混頻器盡可能要防止的，因而高級的收音頭會采用FET器件做混頻器件，常見的有雙柵極的MOSFET。
4．JFET的個性：可控的雙導游電特性
除了串聯等一些特殊應用，JFET的漏極和源極在應用上并無區(qū)別，能夠互換運用，因而，JFET漏極和源極在普通應用中能夠對調，電路性能并無區(qū)別。
基于這個原理，將D、S對調，圖1.1中的電路方式能夠演化出另外兩種。也正是由于這個緣由，有些電路符號會將JFET的柵極畫在正中的位置而不是偏下的位置，以表示漏極和源極的外部功用是相同的。5．VMOS的個性：可變的飽和導通壓降，不變的飽和導通電阻BJT的飽和導通壓降簡直是恒定的，關于硅管而言，大致為0.7V，關于鍺管而言，為o．3V左右，由于鍺管的溫度特性不佳，因而硅管愈加常用。
MOSFET的飽和導通壓降不是恒定的，飽和導通電阻(RDS（ON))卻是一定的（溫度相同條件下），因而VMOS的飽和導通壓降取決于電路巾流過的電流。
VMOS的飽和導通電阻主要和電壓規(guī)格（俗稱“耐壓”）有關，電壓規(guī)格越高，飽和導通電阻越大。低電壓規(guī)格的VMOS的飽和導電阻普通在mΩ級。
如圖1.3中的8205，飽和導通電阻的典型值為30mΩ，TJ（結溫，近似為晶體管硅片的溫度）為100℃的時分，飽和導通電阻為40mΩ。不難算出，手機的工作電流即便到達0.5A（實踐上普通遠小于這個數值），兩個電子開關的壓降也只要30mV，思索到溫度的要素，也不會超越40mV。
假如采用BJT，上述壓降就會到達1.4V左右，這個數值與8205上的壓降相比，是不是簡直能夠疏忽？這就是圖1.3要采用VMOS的緣由。
當然，VMOS的飽和導通電阻也不總是這么小，隨著電壓規(guī)格的進步，這個數值會疾速上升。雖然如此，在電壓規(guī)格小于200V的普通應用中，它的飽和壓降依然有絕對的優(yōu)勢。
IGBT的飽和壓降與BJT的特性相似，普通為1.5～3V，與電壓規(guī)格有關，因而，在高壓規(guī)格(600～1200V)的晶體管中，IGBT有優(yōu)勢，它更大的優(yōu)勢是，IGBT的電壓規(guī)格目前可以做到很高，不但遠遠高于FET，也遠遠高于BJT，實用產品曾經到達了4. 3kV～6. 5kV，而適用的VMOS，最高的電壓規(guī)格大致為lkV～l. 2kV。
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