KND3508B場效應管漏源電壓80V，漏極電流70A，導通電阻RDS(開啟) 8.7mΩ，最大限...KND3508B場效應管漏源電壓80V，漏極電流70A，導通電阻RDS(開啟) 8.7mΩ，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，高效低耗；高擊穿電壓和電流，穩定可靠；100% 雪崩...
當按下正轉啟動按鈕SB1時，交流接觸器KM1線圈得電自鎖，同時KM1的常閉點斷開切...當按下正轉啟動按鈕SB1時，交流接觸器KM1線圈得電自鎖，同時KM1的常閉點斷開切斷反轉的控制回路實現互鎖，當按下停止按鈕SB3時，KM1線圈失電，當按下反轉啟動按鈕...
當輸入信號為低電平時，NPN三極管Q4截止，Q3的基極由于12V串聯R3和R4上拉，所以...當輸入信號為低電平時，NPN三極管Q4截止，Q3的基極由于12V串聯R3和R4上拉，所以Q3導通，R1和R6左端被拉低，所以PNP三極管Q1導通，NPN三極管Q5截止，再看右側Q2和Q...
KIA3508AD場效應管漏源電壓80V，漏極電流60A，導通電阻RDS(開啟) 11mΩ，最大限...KIA3508AD場效應管漏源電壓80V，漏極電流60A，導通電阻RDS(開啟) 11mΩ，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，高效低耗；100%雪崩測試，可靠且堅固耐用；高擊穿電...
H橋電路：4個開關管（MOSFET/晶體管）組成橋臂，通過控制對角導通切換電流路徑...H橋電路：4個開關管（MOSFET/晶體管）組成橋臂，通過控制對角導通切換電流路徑： 正轉：左上+右下開關導通（電流右向）。 反轉：左下+右上開關導通（電流左向）...
