MOS管結(jié)電容，是MOS管在極化時，于柵極與漏極/源極間形成的、能存儲電荷的電容...MOS管結(jié)電容，是MOS管在極化時，于柵極與漏極/源極間形成的、能存儲電荷的電容。它作為MOS管的關(guān)鍵參數(shù)，對管子的動態(tài)功耗、響應(yīng)速度等特性有著決定性影響，
KIA840SB場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.7Ω，最...KIA840SB場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗；低柵極電荷、開關(guān)速度快，高效可靠；100%雪崩測試...
將輸入的交流電壓通過整流器整流成直流電壓，然后通過濾波器將直流電壓進(jìn)行濾波...將輸入的交流電壓通過整流器整流成直流電壓，然后通過濾波器將直流電壓進(jìn)行濾波，以保證輸出電流的穩(wěn)定性和平滑性。接下來，通過驅(qū)動器將直流電壓轉(zhuǎn)換為適合LED的...
該橋電路由兩個P型場效應(yīng)管Q2和兩個N型場效應(yīng)管Q4組成，因此被稱為P-NMOS管H橋...該橋電路由兩個P型場效應(yīng)管Q2和兩個N型場效應(yīng)管Q4組成，因此被稱為P-NMOS管H橋。這些場效應(yīng)管在橋臂上充當(dāng)開關(guān)的角色，其中P型管在柵極電壓為低時導(dǎo)通，高時關(guān)閉；...
KCX2704A場效應(yīng)管漏極電流150A，漏源擊穿電壓為40V；采用LVMOS技術(shù)生產(chǎn)，改進(jìn)的...KCX2704A場效應(yīng)管漏極電流150A，漏源擊穿電壓為40V；采用LVMOS技術(shù)生產(chǎn)，改進(jìn)的工藝和單元結(jié)構(gòu)，最小化導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.25mΩ，提供優(yōu)越的開關(guān)性能；低柵極電...
