集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上，采用適當(dāng)連接技術(shù)形成電...集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上，采用適當(dāng)連接技術(shù)形成電氣連接，安裝外殼，構(gòu)成有效組件的整個過程，封裝主要起著安放、固定、密封、保護(hù)芯...
KIA431A穩(wěn)壓器具有可調(diào)輸出電壓范圍從2.5V到36V、動態(tài)輸出電阻低：0.2歐姆、接...KIA431A穩(wěn)壓器具有可調(diào)輸出電壓范圍從2.5V到36V、動態(tài)輸出電阻低：0.2歐姆、接入電流容量從1mA到100mA、輸出噪聲低、典型等效全量程溫度系數(shù)為30ppm等優(yōu)異特性；廣...
其中L為長度，S為截面積。換算后，電阻的單位是Ω。 某種材料的電阻率在數(shù)值上...其中L為長度，S為截面積。換算后，電阻的單位是Ω。 某種材料的電阻率在數(shù)值上等于長為1cm，橫截面積為1cm2的材料的電阻。 半導(dǎo)體材料的電阻率（E-4~E8）介于金...
很多電子元器件是不允許電源正負(fù)極反接的，在設(shè)計完成的電路板中，外部接口如果...很多電子元器件是不允許電源正負(fù)極反接的，在設(shè)計完成的電路板中，外部接口如果沒有防反接設(shè)計，用戶在使用的時候很容易將正負(fù)極接錯導(dǎo)致器件燒毀造成財產(chǎn)損失。防...
KNE4603A2是高單元密度溝槽雙N溝道MOSFET，漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A；低導(dǎo)...KNE4603A2是高單元密度溝槽雙N溝道MOSFET，漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A；低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 16mΩ，超低柵極電荷，為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供優(yōu)異的RDSON...
