40V150A參數規格 KIA2804N產品特征 1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度電...40V150A參數規格 KIA2804N產品特征 1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度電池設計 3、超低導通電阻 4、快恢復體二極管 5、無鉛和綠色設備（符合RoHS）
30V85AMOS管 KNX3403A產品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 無鉛綠色設備 降低導...30V85AMOS管 KNX3403A產品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 無鉛綠色設備 降低導電損耗 高雪崩電流
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在...晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。晶圓...
場效應管可分為結型場效應管（簡稱JFET）和絕緣柵場效應管（簡稱MOS管或MOSFET...場效應管可分為結型場效應管（簡稱JFET）和絕緣柵場效應管（簡稱MOS管或MOSFET）兩種。每種又可分為N溝道和P溝道兩類，N溝道和P溝道場效應管工作原理相同，只是工...
KIA2803A，AON6512兩個型號的具體參數、封裝、電路特征等。 （一）AON6512參數...KIA2803A，AON6512兩個型號的具體參數、封裝、電路特征等。 （一）AON6512參數 電流：150A 電壓：30V 漏源電壓：30V 柵源電壓：±20V 雪崩電流：70A 雪崩能...
這種功率MOSFET是使用KIA的先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進的技術特別...這種功率MOSFET是使用KIA的先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進的技術特別適合最小化狀態上的電阻,提供優越的開關性能,并在雪崩和換相模式下經受高能量脈沖。...
