高速MOS驅(qū)動應(yīng)用：雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管有著相同的工作原理。從根本上說,，...高速MOS驅(qū)動應(yīng)用：雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管有著相同的工作原理。從根本上說,，兩種類型晶體管均是電荷控制元件，即它們的輸出電流和控制極半導(dǎo)體內(nèi)的電荷量成比例...
雙場效應(yīng)管推挽功率放大器:由于單場效應(yīng)管功率放大器存在效率低、輸出功率小等...雙場效應(yīng)管推挽功率放大器:由于單場效應(yīng)管功率放大器存在效率低、輸出功率小等缺點，所以我們必須在提高功放的效率和增大輸出功率方面下功夫。雙場效應(yīng)管推挽功率...
場效應(yīng)管功率放大器:微弱的信號經(jīng)過小信號放大器(或稱前置放大器)逐級放大后，...場效應(yīng)管功率放大器:微弱的信號經(jīng)過小信號放大器(或稱前置放大器)逐級放大后，去控制某些執(zhí)行機構(gòu)，如喇叭、繼電器等。而這些執(zhí)行機構(gòu)都需要一定的功率去推動，所...
CMOS工藝詳細解析:CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個襯底上同時...CMOS工藝詳細解析:CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個襯底上同時制造出n-溝和p-溝晶體管。在NMOS工藝中看到，襯底的摻雜類型和摻雜水平是按照在它上...
MOS管炸裂原因:我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件...MOS管炸裂原因:我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。MOS管炸裂原因：開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓...
場效應(yīng)管高頻電路：MOS場效應(yīng)管的高頻特性正在逐年提高，它的實用頻率已擴展到...場效應(yīng)管高頻電路：MOS場效應(yīng)管的高頻特性正在逐年提高，它的實用頻率已擴展到甚高頻乃至超高頻段。一般說來，場效應(yīng)管與雙極型晶體管相比，在高頻方面具有非線性...
