6n70參數及代換,6n70kl引腳參數,?KIA6N70H場效應管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-09-05
KIA6N70H場效應管可以替代6n70型號應用在高效開關電源、LED驅動、電機驅動中，漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V，最大限度地減少導通電阻，低柵電荷（典型16NC），提供卓越的開關性能；具有高耐用性、快速切換和雪崩測試100%、dv/dt能力，能夠承受高能脈沖的雪崩和換向模式；多種封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220F。
漏源電壓：700V
漏極電流：5.8A
漏源通態電阻(RDS(on))：1.8Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：20A
雪崩能量單脈沖：150MJ
最大功耗：95/48W
輸入電容：650PF
輸出電容：95PF
總柵極電荷：16nC
開通延遲時間：30nS
關斷延遲時間：80nS
上升時間：40ns
下降時間：40ns
聯系方式：鄒先生
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