?10n65場效應管參數,KIA10N65H參數引腳圖,中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-09-04
KIA10N65H場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，低導通電阻，低柵極電荷(典型48nC)，有效降低開關損耗，提升效率；具有快速交換功能、指定的雪崩能量以及改進的DV/DT功能，穩定可靠，提高開關響應速度，可以替代10n65型號應用在高壓、高速功率開關應用中，如高效開關電源、LED驅動、儲能電源；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：650V
漏極電流：10A
漏源通態電阻：0.65Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
雪崩能量單脈沖：709MJ
功率耗散：52W
總柵極電荷：48nC
輸入電容：1650PF
輸出電容：1665PF
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：140nS
上升時間：70ns
下降時間：80ns
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