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電機(jī)控制器MOS管,9130場(chǎng)效應(yīng)管,KNX9130B參數(shù)資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-06-21 

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電機(jī)控制器MOS管,9130場(chǎng)效應(yīng)管,KNX9130B參數(shù)資料-KIA MOS管


電機(jī)控制器MOS管,9130場(chǎng)效應(yīng)管資料

電機(jī)控制器專用MOS管KNX9130B采用專有新型平面技術(shù),漏源擊穿電壓300V,漏極電流40A,RDS(ON)=0.12Ω(典型值)@VGS=10V,降低導(dǎo)通損耗,具有低柵極電荷最小化開關(guān)損耗、快速恢復(fù)體二極管等特性。


KNX9130B場(chǎng)效應(yīng)管廣泛在DC-DC轉(zhuǎn)換器、UPS、DC-AC逆變器、SMPS和電機(jī)控制領(lǐng)域應(yīng)用,封裝形式:TO-220、TO-3P,多種選擇方便安裝使用。

電機(jī)控制器MOS管,9130場(chǎng)效應(yīng)管


電機(jī)控制器MOS管,9130場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:300V

漏極電流:40A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):0.12Ω

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:160A

雪崩能量單脈沖:1154MJ

總功耗:340/380W

總柵極電荷:105nC

輸入電容:2830PF

輸出電容:85PF

開通延遲時(shí)間:20nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:55nS

上升時(shí)間:15ns

下降時(shí)間:18ns


電機(jī)控制器MOS管,9130場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書

電機(jī)控制器MOS管,9130場(chǎng)效應(yīng)管

電機(jī)控制器MOS管,9130場(chǎng)效應(yīng)管


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