鋰電池保護板mos管,042N10參數場效應管代換,KCB3010A資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-20
KCB3010A是采用先進SGT技術的N溝道增強型功率MOSFET，先進的雙溝道技術降低導通損耗、提高開關性能和增強雪崩能量，漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A，低導通電阻（典型值）RDS（導通）=4.0mΩ；具有快速切換、低柵極電荷、低反向傳輸電容、雪崩強度高等出色性能。
KCB3010A適用于鋰電池保護板、電機驅動器和高速開關應用的設備，封裝形式：TO-263體積小，散熱良好，提高設備的可靠性和穩定性，能夠匹配HYG042N10S1B、CRSS042N10N場效應管代換使用。
漏源電壓：100V
漏極電流：120A
漏源通態電阻(RDS(on))：4mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
雪崩能量單脈沖：756.25MJ
總功耗：175W
總柵極電荷：89.5nC
輸入電容：6700PF
輸出電容：880PF
開通延遲時間：32nS
關斷延遲時間：68.5nS
上升時間：55ns
下降時間：31ns
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