【集成電路】MOS管的亞閾值區-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-07
Vds與Vdsat的關系
Vds > Vdsat時，region變為2，為了保證PVT下電路仍處于飽和區，需要讓Vds -Vdsat大于某個經驗值。
作圖步驟詳見前文
在長溝道工藝（大約是大于4um）中，Vdsat=Vov， 過驅動電壓Vov=Vgs-Vth，當Vds > Vdsat時，MOS管的溝道夾斷（pinch off），電流飽和。
但在先進工藝中，Vdsat偏離了Vov，也就是小于Vov，這是因為速度飽和效應，Vds達到Vdsat而還沒有達到Vov時，電流就飽和了。此時，溝道還沒有夾斷。
速度飽和效應：溝道場強
足夠強時，多子漂移速度為
也就是速度達到飽和，為定值Vsat，平方律公式變為了一次的。
使管子工作在亞閾值區的目的：
相同電流下，亞閾值區的Vdsat小，gm小，等效輸入噪聲電壓小，但同時W/L大，電容大。
Vgs<Vth約100mV，Vds>3VT【VT=0.026V】，是亞閾值區的飽和區，這時擴散電流為主。
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