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?解析?三極管基極下拉電阻作用-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-08-17 

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解析三極管基極下拉電阻作用-KIA MOS管


三極管基極下拉電阻


1.防止三極管受噪聲信號的影響而產(chǎn)生誤動作,使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空,當(dāng)輸入信號不確定時(如輸入信號為高阻態(tài)時),加下拉電阻,就能使有效接地。


特別是GPIO連接此基極的時候,一般在GPIO所在IC剛剛上電初始化的時候,此GPIO的內(nèi)部也處于一種上電狀態(tài),很不穩(wěn)定,容易產(chǎn)生噪聲,引起誤動作。


加此電阻,可消除此影響(如果出現(xiàn)一尖脈沖電平,由于時間比較短,所以這個電壓很容易被電阻拉低;如果高電平的時間比較長,那就不能拉低了,也就是正常高電平時沒有影響)!但是電阻不能過小,影響泄漏電流!(過小則會有較大的電流由電阻流入地)


2.當(dāng)三極管開關(guān)作用時,ON和OFF時間越短越好,為了防止在OFF時,因晶體管中的殘留電荷引起的時間滯后,在B,E之間加一個R起到放電作用。高頻,深飽和時特別要注意。(次要)


3.三極管基級加電阻主要是為了設(shè)置一個偏置電壓,這樣就不會出現(xiàn)信號的失真(這在輸入信號有交流時極其重要:


如當(dāng)溫度上升時,Ic將增大,導(dǎo)致Ie也會增大,那么在Re上的壓降也增大,而Vbe=Vb-IeRe,而Vb此時基本上被下拉電阻保持住,所以使Vbe減小。


當(dāng)然這個減小對0.7v來說是很小的,是從微觀上去分析的。Vbe的減小,使Ib減小,結(jié)果牽制了Ic的增加,從而使Ic基本恒定。這也是反饋控制的原理)。


而且同時還是為了防止輸入電流過大,加個電阻可以分一部分電流,這樣就不會讓大電流直接流入三極管而損壞其.至于為了放電,一般是在MOS管中才用,三極管這個問題不大。


4.如果三極管不接下拉電阻,就不能設(shè)定偏置電壓,這樣會產(chǎn)生輸入信號的交越失真,并且輸入電流過大的時候會導(dǎo)致大電流直接流入三極管而損壞其。


三極管我們分析的時候有時候總是認(rèn)為它的內(nèi)部是有二極管的效應(yīng)的,但這樣是錯誤的認(rèn)識,應(yīng)該更正。而MOS管同樣需要一個偏制電壓,而下拉電阻可以起到這樣的作用,我們一般稱之為GATE偏制。


由于MOS管內(nèi)部的三個級是彼此絕緣的,所以自然會有電容效應(yīng)在,當(dāng)信號消失的時候內(nèi)部的等效電容可以通過下拉電阻進(jìn)行放電.而且也是必須的,否則會邏輯出錯。


接下拉電阻時還要注意:

1、下拉電阻阻值不能太大,不然會導(dǎo)致流入基級的電流太小。


2、如果是高速開關(guān)信號,盡量在下拉電阻上并連一個電容以提高高速性。


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三極管基極下拉電阻



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