超結(jié)MOS管KCB6265A采用KIA半導體先進的超級結(jié)技術(shù)制造，低導通電阻RDS(on) 0.3...超結(jié)MOS管KCB6265A采用KIA半導體先進的超級結(jié)技術(shù)制造，低導通電阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高...
碳化硅mos管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是第三代半導體材料電力電子器件...碳化硅mos管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是第三代半導體材料電力電子器件，三個腳分別為柵極（G），漏極（D）和源極（S）。碳化硅MOS為電壓型控制器件，具有...
儲能逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，并能夠?qū)㈦娔軆Υ嬗陔姵刂械脑O備。儲能...儲能逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，并能夠?qū)㈦娔軆Υ嬗陔姵刂械脑O備。儲能逆變器在應對電網(wǎng)電力波動和提高電力系統(tǒng)供電質(zhì)量方面具有非常重要的作用。它可以控...
KCB2908A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術(shù)設計，極低...KCB2908A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術(shù)設計，極低導通電阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的柵極電荷，可最大限度地減少導電損失，減少開關(guān)損耗...
當S1A為低電平的時候，MOS管Q3導通，S1A與S2A導通，S2A端被拉低到0V，實現(xiàn)兩端...當S1A為低電平的時候，MOS管Q3導通，S1A與S2A導通，S2A端被拉低到0V，實現(xiàn)兩端都為低電平。 當S1A為高電平的時候，MOS管Q3關(guān)斷，S2A端由上拉電阻（上圖中的 R28）...
結(jié)型場效應管（JFET）、絕緣柵型場效應管（MOSFET），結(jié)型場效應管分為N溝道和...結(jié)型場效應管（JFET）、絕緣柵型場效應管（MOSFET），結(jié)型場效應管分為N溝道和P溝道；絕緣柵型分為增強型和耗盡型（N溝道和P溝道）。 JFET和MOSTFET之間的主要區(qū)...
