在圖2-31(a)中，s表示Source，源極；D表示Drain，漏極；G表示Gate，柵極。在漏...在圖2-31(a)中，s表示Source，源極；D表示Drain，漏極；G表示Gate，柵極。在漏極和源極之間加上一個正向電壓后，N型半導體中的多數(shù)載流子（電子）便能夠?qū)щ娏恕＿@...
三極管是電子電路中最重要的核心電子元器件之一，它具有放大作用，在各種電子電...三極管是電子電路中最重要的核心電子元器件之一，它具有放大作用，在各種電子電路中的應用十分廣泛。當然，我們現(xiàn)在說的三極管豐要是指晶體三極管。電子管的三極管...
場效應管的特點足由柵極電壓U(;控制其漏極電流ID和普通雙極型晶體管相比較，場...場效應管的特點足由柵極電壓U(;控制其漏極電流ID和普通雙極型晶體管相比較，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點。 場效應管...
場效應晶體管通常簡稱為場效應管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件，外形...場效應晶體管通常簡稱為場效應管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件，外形如圖4-21所示。和普通雙極型晶體管相比擬，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范...
雙極型晶體管(Bipolar Transistor)是一種電流控制器什，電子和空穴同時參與導電...雙極型晶體管(Bipolar Transistor)是一種電流控制器什，電子和空穴同時參與導電。與場效應晶體管相比，雙極型品體管的開艾速度快，但其輸入阻抗小，功耗大。雙極型...
如圖所示為N溝道VDMOSFFT與GTR組合的N溝道IGBT(N-IGBT)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖。...如圖所示為N溝道VDMOSFFT與GTR組合的N溝道IGBT(N-IGBT)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖。IGBT比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū)，形成丁一個大面積的PN結(jié)J1。由于IGBT導通時由P+注入...
