MOS晶體管的工作中，NMOS晶體管的閾值電壓VTN是正值，當(dāng)VGS= OV時(shí)就沒(méi)有漏極電...MOS晶體管的工作中，NMOS晶體管的閾值電壓VTN是正值，當(dāng)VGS= OV時(shí)就沒(méi)有漏極電流流動(dòng)，這樣的晶體管稱(chēng)為增強(qiáng)型晶體管( enhancementtransistor)。圖2.10示出增強(qiáng)型...
CMOS器件的第一優(yōu)點(diǎn)就是省電，靜態(tài)消耗電流十分小，OP放大器的CMOS輸入偏置電流...CMOS器件的第一優(yōu)點(diǎn)就是省電，靜態(tài)消耗電流十分小，OP放大器的CMOS輸入偏置電流十分小(lpA)。在低電源電壓下也具有高速呼應(yīng)，在筆記本電腦、便攜式電話的微處理器...
競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，流量成了淘寶賣(mài)家們的搶占重點(diǎn)。流量的關(guān)鍵第一步，就是寶貝標(biāo)題...競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，流量成了淘寶賣(mài)家們的搶占重點(diǎn)。流量的關(guān)鍵第一步，就是寶貝標(biāo)題，如何利用寶貝標(biāo)題提升無(wú)線端流量呢? 免費(fèi)流量，主要包括關(guān)鍵詞搜索...
耗盡型與增強(qiáng)型、結(jié)型與絕緣柵型的，1l路偏置辦法迥然不同，但是差異還是有的，...耗盡型與增強(qiáng)型、結(jié)型與絕緣柵型的，1l路偏置辦法迥然不同，但是差異還是有的，因而表5.1列出了場(chǎng)效應(yīng)管的9種根本電路組態(tài)，其間新近上市的增強(qiáng)型JFET的偏置辦法能...
低電壓規(guī)格的VMOS，在功耗方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)，而且電壓規(guī)格越低，這個(gè)優(yōu)勢(shì)越明...低電壓規(guī)格的VMOS，在功耗方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)，而且電壓規(guī)格越低，這個(gè)優(yōu)勢(shì)越明顯。電壓規(guī)格低于100V以后，VMOS的低功耗優(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)直是決議性的。其次是IGBT的開(kāi)展，可...
模塊中的“管芯”普通稱(chēng)為“單元”，例如兩單元模塊就包含了兩個(gè)“管芯”，這些...模塊中的“管芯”普通稱(chēng)為“單元”，例如兩單元模塊就包含了兩個(gè)“管芯”，這些管芯單個(gè)封裝起來(lái)與單管并尤區(qū)別。模塊中除了管芯一般還會(huì)包含續(xù)流二極管和一些維護(hù)...
