首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時(shí)分別設(shè)置好NMOS溝道長(zhǎng)度和寬度，還...首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時(shí)分別設(shè)置好NMOS溝道長(zhǎng)度和寬度，還有將對(duì)應(yīng)器件電壓也設(shè)置成變量，設(shè)成變量方面后面仿真條件下修改參數(shù)。
RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先進(jìn)的溝槽技術(shù) 低柵電荷 高電流能力 ...RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先進(jìn)的溝槽技術(shù) 低柵電荷 高電流能力 符合RoHS和無鹵素標(biāo)準(zhǔn)
全橋電路在實(shí)際的項(xiàng)目中運(yùn)用的也比較多(比如電機(jī)，半導(dǎo)體制冷片等)，有時(shí)候全橋...全橋電路在實(shí)際的項(xiàng)目中運(yùn)用的也比較多(比如電機(jī)，半導(dǎo)體制冷片等)，有時(shí)候全橋芯片會(huì)達(dá)不到我們的需求(比如功率特別大的時(shí)候)，這時(shí)就需要搭建一個(gè)符合我們需求的...
通過公式1算出電容值應(yīng)為1μF左右，但在實(shí)際應(yīng)用中存在這樣的問題，即當(dāng)占空比...通過公式1算出電容值應(yīng)為1μF左右，但在實(shí)際應(yīng)用中存在這樣的問題，即當(dāng)占空比接近100%（見圖3a）時(shí)，由于占空比很大，在每次上橋關(guān)斷后Vs電壓不能完全回零，導(dǎo)致...
在實(shí)際調(diào)試MOS管驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，如果大家用示波器測(cè)一下MOS管gate極的波形，就會(huì)發(fā)...在實(shí)際調(diào)試MOS管驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，如果大家用示波器測(cè)一下MOS管gate極的波形，就會(huì)發(fā)現(xiàn)MOS管每次打開時(shí)，其柵極波形會(huì)出現(xiàn)類似于正弦波的阻尼振蕩，這不僅使得MOS開關(guān)不...
MOS管3503 70A30V參數(shù)-特征 RDS（開）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先進(jìn)的溝槽...MOS管3503 70A30V參數(shù)-特征 RDS（開）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先進(jìn)的溝槽技術(shù) 低門電荷 高電流能力
