KIA半導體推出碳化硅場效應管（SiC-MOSFET）
信息來源：本站 日期：2016-03-14
近些年來，隨著節(jié)能意識幾乎在所有的領域持續(xù)高漲，在高電壓工業(yè)設備領域中，可實現節(jié)能并支持高電壓的功率半導體和電源IC應用也越來越廣泛。其中，與現有的Si功率半導體相比，可支持更高電壓、有助于實現小型化且更加節(jié)電的SiC功率半導體備受矚目。
碳化硅（SiC）是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或 β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相 比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能。
相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢體現在哪些方面？
作為一種寬禁帶半導體材料，SiC對功率半導體可以說是一個沖擊。這種材料不但擊穿電場強度高、熱穩(wěn)定性好，還具有載流子飽和漂移速度高、熱導率高等特 點。具體來看，其導熱性能是Si材料的3倍以上；在相同反壓下，SiC材料的擊穿電場強度比Si高10倍，而內阻僅是Si片的百分之一。SiC器件的工作 溫度可以達到600℃，而一般的Si器件最多能堅持到150℃。
因為這些特性，SiC可以用來制造各種耐高溫的高頻大功率器件，應用于Si 器件難以勝任的場合。以SiC肖特基二極管為例，它是速度最快的高壓肖特基二極管，無需反向恢復充電，可大幅降低開關損耗、提高開關頻率，適用于比采用硅 技術的肖特基二極管高得多的操作電壓范圍，例如，600V SiC肖特基二極管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二極管可以用作48~60V快速輸出開關電源的整流二極管，而1，200V SiC肖特基二極管與硅IGBT組合后可以作為理想的續(xù)流二極管。
采用硅材料的MOSFET在提高器件阻斷電壓時，必須加寬器件的漂移區(qū)，這會使其內阻迅速增大，壓降增高，損耗增大。阻斷電壓范圍在 1，200~1，800V的硅MOSFET不僅體積大，而且價格昂貴。IGBT雖然在高壓應用時可降低導通功耗，但若開關頻率增加時，開關功耗亦隨之增 大。因此IGBT在高頻開關電源上亦有其本身的限制。而用SiC做襯底的MOSFET，可輕易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其開關特性 （結電容值，開關損耗，開關波型等）則與100多伏的硅MOSFET相若，導通電阻更可低至毫歐值。在高壓開關電源應用上，完全可取代硅IGBT并可提高 系統(tǒng)的整體效率以及開關頻率。
價格較貴是否會是采用SiC功率器件的一個阻礙？
單就Si器件和SiC器件的價差來看，確實有較大的差異，但如果從SiC器件帶來的系統(tǒng)性能提升來看，將會發(fā)現其帶來的總體效益遠遠超過兩類器件的價差。在SiC特別適合的高壓應用中，如果充分發(fā)揮SiC器件的特性，這一整體優(yōu)勢表現得非常明顯。
具 體來看，其整體優(yōu)勢主要體現在下面幾個方面：一是SiC功率器件帶來開關損耗的大幅降低，可以大大提高系統(tǒng)的效率；二是因為SiC器件無反向恢復、散熱性 能好等特點，減少周邊器件的使用或者采用體積較小的器件，線路也得到優(yōu)化，從而在整體上縮減了系統(tǒng)尺寸；最后，因為效率提高、器件精簡從而獲得了系統(tǒng)整體 成本的節(jié)約。
針對未來的發(fā)展,KIA半導體最新設計出碳化硅場效應管SiC MOSFET，適用于充電樁、無人機、太陽能逆變等高新科技領域。
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