場效應(yīng)管的三個極區(qū)別分析-場效應(yīng)管的三個極引腳圖解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-07-07
場效應(yīng)管的三個極相當(dāng)于三級管的三個電極，G是控制極，相當(dāng)于三級管的B極，電壓控制DS的導(dǎo)通率（三極管是電流控制型，B極控制CE的導(dǎo)通能力）D級是漏極，相當(dāng)于三級管的集電極，S是源級，相當(dāng)于三級管的發(fā)射級。
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
場效應(yīng)管的三個極的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，場效應(yīng)管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞場效應(yīng)管的三個極GS間存在一定電容，假如G信號驅(qū)動能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時間.
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。
場效應(yīng)管的三個極在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。
先用萬用表R×10kΩ擋(內(nèi)置有15V電池)，把負表筆(黑)接?xùn)艠O(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再改用萬用表R×1Ω擋，將負表筆接漏極(D)，正筆接源極(S)，萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應(yīng)管是好的 。
將萬用表撥至R×100檔，紅表筆任意接一個腳管，黑表筆則接另一個腳管，使第三腳懸空。若發(fā)現(xiàn)表針有輕微擺動，就證明第三腳為柵極。欲獲得更明顯的觀察效果，還可利用人體靠近或者用手指觸摸懸空腳，只要看到表針作大幅度偏轉(zhuǎn)，即說明懸空腳是柵極，其余二腳分別是源極和漏極。
判斷理由：JFET的輸入電阻大于100MΩ，并且跨導(dǎo)很高，當(dāng)柵極開路時空間電磁場很容易在柵極上感應(yīng)出電壓信號，使管子趨于截止，或趨于導(dǎo)通。若將人體感應(yīng)電壓直接加在柵極上，由于輸入干擾信號較強，上述現(xiàn)象會更加明顯。如表針向左側(cè)大幅度偏轉(zhuǎn)，就意味著管子趨于截止，漏-源極間電阻RDS增大，漏-源極間電流減小IDS。反之，表針向右側(cè)大幅度偏轉(zhuǎn)，說明管子趨向?qū)ǎ琑DS↓，IDS↑。但表針究竟向哪個方向偏轉(zhuǎn)，應(yīng)視感應(yīng)電壓的極性(正向電壓或反向電壓)及管子的工作點而定。
(1)場效應(yīng)管的三個極試驗表明，當(dāng)兩手與D、S極絕緣，只摸柵極時，表針一般向左偏轉(zhuǎn)。但是，如果兩手分別接觸D、S極，并且用手指摸住柵極時，有可能觀察到表針向右偏轉(zhuǎn)的情形。其原因是人體幾個部位和電阻對場效應(yīng)管起到偏置作用，使之進入飽和區(qū)。
(2)也可以用舌尖舔住柵極，現(xiàn)象同上。
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