KIA100N03AD 30V/90A場效mos管IR8726 PDF參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-03-23
功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V
超高密度電池設計
超低電阻
快速恢復體二極管
無鉛和綠色設備數（RoHS）
產品型號：KIA30N39
工作方式：90A/30V
漏源電壓：30V
柵源電壓：±20A
漏電流連續：90A
脈沖漏極電流：360A
雪崩電流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：88W
熱電阻：62℃/V
漏源擊穿電壓：30V
溫度系數：0.03V/℃
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：2200PF
輸出電容：280PF
上升時間：19.5ns
封裝形式：TO-251、252、253、220
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
