3415mos管現(xiàn)貨供應商 KIA3415A -4.0A/-16V PDF文件下載-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-03-16
KIA3415采用先進的溝槽技術，提供優(yōu)良的RDS（上），低柵極電荷和低閘極電壓為1.8v.這裝置操作適合作為負荷開關或在PWM應用標準的產(chǎn)品kia3415無鉛（符合RoHS及索尼259規(guī)格）
VDS (V)=-16V
ID =-4.0A
RDS(on) <45mΩ(VGS =-4.5V,I D =-4.0A)
RDS(on) <54mΩ(VGS =-2.5V,I D =-2.5A)
RDS(on) <75mΩ(VGS =-1.8V,I D =-2.0A)
產(chǎn)品型號：KIA3415
工作方式：-4.0A/-16V
漏源電壓：-16V
柵源電壓：±8A
漏電流連續(xù)：-4.0A
脈沖漏極電流：30A
耗散功率：1.4W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：-16V
柵極閾值電壓：-0.4V
輸入電容：1450PF
輸出電容：205PF
上升時間：17ns
封裝形式：SOT-23
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KIA3415 P溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品編號 | KIA3415 -4.0A/-16V |
| 產(chǎn)品描述 |
KIA3415采用先進的溝槽技術，提供優(yōu)良的RDS（上），低柵極電荷和低閘極電壓為1.8v.這裝置操作適合作為負荷開關或在PWM應用標準的產(chǎn)品kia3415無鉛（符合RoHS及索尼259規(guī)格） |
| 產(chǎn)品特征 |
VDS (V)=-16V ID =-4.0A RDS(on) <45mΩ(VGS =-4.5V,I D =-4.0A) RDS(on) <54mΩ(VGS =-2.5V,I D =-2.5A) RDS(on) <75mΩ(VGS =-1.8V,I D =-2.0A) |
| 封裝形式 | SOT-23 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | m.worksns.com |
| PDF頁總數(shù) | 總5頁 |
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