KIA8606現(xiàn)貨供應商 KIA8606 PDF文件下載 35A60V參數(shù)詳細資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-02-16
8606高細胞密度的N溝道MOSFET溝道與提供優(yōu)良的導通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應用的柵電荷。kia8606符合ROHS和綠色產(chǎn)品要求，100%個功能齊全的可靠性認證。
KIA8606特征
超低柵電荷
100% EAS保證
優(yōu)良的CDV / dt效應DES線
綠色的可用設備
先進的高密度溝槽技術(shù)
KIA8606參數(shù)
產(chǎn)品型號：KIA8606
工作方式：35A/60V
漏源電壓：60V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：35A
脈沖漏極電流：80A
雪崩電流：28A
雪崩能量：39.2A
耗散功率：45W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：60V
溫度系數(shù)：0.057V
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：2423 PF
輸出電容：145 PF
上升時間：50ns
封裝形式：TO-251
 |
KIA8606 |
| 產(chǎn)品編號 | KIA8606（35A 60V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
8606高細胞密度的N溝道MOSFET溝道與提供優(yōu)良的導通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應用的柵電荷。kia8606符合ROHS和綠色產(chǎn)品要求，100%個功能齊全的可靠性認證。 |
| 產(chǎn)品特征 |
超低柵電荷 100% EAS保證 優(yōu)良的CDV / dt效應DES線 綠色的可用設備 先進的高密度溝槽技術(shù) |
| 封裝形式 | TO-251 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | m.worksns.com |
| PDF總頁數(shù) | 總5頁 |
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