KCM3650參數(shù)

高電壓MOSFET采用先進(jìn)的終止方案，提供增強(qiáng)的電壓。不隨時(shí)間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進(jìn)的MOSFET設(shè)計(jì)能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節(jié)能設(shè)計(jì)還提供了一個快速恢復(fù)時(shí)間二極管源漏。高電壓設(shè)計(jì)，高速開關(guān)電源，轉(zhuǎn)換器和PWM電機(jī)控制中的應(yīng)用程序，這些設(shè)備特別適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區(qū)域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。

KCM3650特征

強(qiáng)大的高壓終止

雪崩能量

源漏二極管恢復(fù)時(shí)間相當(dāng)于分立快恢復(fù)二極管

二極管的特點(diǎn)是用于橋式電路

IDSS和VDS（上）指定高溫

隔離安裝孔減少安裝硬件

KCM3650參數(shù)指標(biāo)

產(chǎn)品型號：KIA3650

工作方式：60A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±20V

漏電流連續(xù)：60A

脈沖漏極電流：180A

雪崩能量：1280mJ

耗散功率：54W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：500V

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：3180 PF

輸出電容:4400 PF

上升時(shí)間：52 ns

封裝形式：TO-220F、TO-247

	KCM3650（60A 500V）
產(chǎn)品編號	KCM3650A
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	高電壓MOSFET采用先進(jìn)的終止方案，提供增強(qiáng)的電壓。不隨時(shí)間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進(jìn)的MOSFET設(shè)計(jì)能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節(jié)能設(shè)計(jì)還提供了一個快速恢復(fù)時(shí)間二極管源漏。高電壓設(shè)計(jì)，高速開關(guān)電源，轉(zhuǎn)換器和PWM電機(jī)控制中的應(yīng)用程序。
產(chǎn)品特征	強(qiáng)大的高壓終止雪崩能量源漏二極管恢復(fù)時(shí)間相當(dāng)于分立快恢復(fù)二極管二極管的特點(diǎn)是用于橋式電路 IDSS和VDS（上）指定高溫隔離安裝孔減少安裝硬件
適用范圍	主要適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區(qū)域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
封裝形式	TO-220F、TO-247
PDF文件	【直接在線預(yù)覽】
LOGO
廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	m.worksns.com
PDF頁總數(shù)	總5頁