100N03A供應商 KIA100N03A PDF文件 100N03A參數資料-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-01-23
KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對的阻力，提供優越的。
開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。
特征：
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V
dv / dt的能力提高
快速開關
綠色環保
參數：
漏源電壓(vdss):30V
柵源電壓（vgss)：±20V
連續漏電流：（ld）：90A
脈沖漏極電流：360A
雪崩電流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率（pd）：88W
熱電阻：60℃/W
漏源擊穿電壓：30V
柵極閾值電壓（min）：1.2V
溫度系數：-5mV/℃
 |
KIA100N03A(90A 30V) |
| 產品編號 |
100N03A/AB/AD/AP/AU |
| 產品工藝 |
KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對的阻力，提供優越的。 |
| 產品特征 |
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V dv / dt的能力提高 快速開關 綠色環保 |
| 適用范圍 |
適用于高效率開關電源，有源功率因數校正、基于半橋拓撲 |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-263、TO-220 |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | m.worksns.com |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
