?12n65,?12n65場效應(yīng)管參數(shù),650v12a,KNF12N65中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-22
KNF12N65場效應(yīng)管漏源擊穿電壓650V，漏極電流12A，采用先進平面工藝制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.6Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷，開關(guān)速度快，降低開關(guān)損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、符合RoHS標準，快速恢復(fù)體二極管，性能穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于適配器、充電器、SMPS待機電源等；封裝形式：TO-220F，散熱良好。
詳細參數(shù)：
漏源電壓：650V
漏極電流：12A
導(dǎo)通電阻：0.6Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：48A
單脈沖雪崩能量：450MJ
功率耗散：73W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：50nC
輸入電容：1800PF
輸出電容：30PF
反向傳輸電容：140PF
開通延遲時間：23nS
關(guān)斷延遲時間：145nS
上升時間：38ns
下降時間：58ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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