50N08場效應(yīng)管參數(shù),電機(jī)驅(qū)動mos,?85v120a,KCT050N08N-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-10
KCT050N08N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高效率；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制和驅(qū)動、電池管理、不間斷電源（UPS）中；封裝形式：TOLL，體積小，散熱良好，適用于高功率密度場景。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：85V
漏極電流：120A
導(dǎo)通電阻：4.6mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
單脈沖雪崩能量：144MJ
功率耗散：174W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：55nC
輸入電容：3086PF
輸出電容：1057PF
反向傳輸電容：26PF
開通延遲時(shí)間：20.1nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：45.1nS
上升時(shí)間：38.9ns
下降時(shí)間：22.8ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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