80r240,800v18a,KLM80R240B場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-30
KLM80R240B超結MOSFET是一種采用多層外延工藝的功率半導體器件，通過優化芯片結構實現低內阻、高抗浪涌能力和快速開關特性。80r240漏源擊穿電壓800V，漏極電流18A，低導通電阻RDS(on) 205mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，提高效率；還具有高耐壓特性和低電阻特性，超快切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，抗沖擊能力強，結電容低，穩定可靠；廣泛應用于高壓、高電流場景，工業設備等，封裝形式：TO-247，散熱出色。
漏源電壓：800V
漏極電流：18A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：54A
單脈沖雪崩能量：690MJ
功率耗散：208W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：45nC
輸入電容：2020PF
輸出電容：1.6PF
反向傳輸電容：22PF
開通延遲時間：55nS
關斷延遲時間：40nS
上升時間：20ns
下降時間：30ns
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