?70n06場效應(yīng)管參數(shù),60v70a,to263,KIA70N06-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-27
KIA70N06場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流70A，采用KIA專有的平面條狀DMOS技術(shù)制造，技術(shù)經(jīng)過專門優(yōu)化，有效降低導(dǎo)通狀態(tài)電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩模式和換向模式下承受高能量脈沖。70n06場效應(yīng)管低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.015Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，還具有低柵極電荷、低漏電、快速開關(guān)、100%雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力，性能穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于汽車電子、直流/直流轉(zhuǎn)換器等低壓應(yīng)用領(lǐng)域，以及便攜式和電池供電設(shè)備的高效開關(guān)功率管理；封裝形式：TO-263。
漏源電壓：60V
漏極電流：70A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：260A
單脈沖雪崩能量：650MJ
功率耗散：150W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：40nC
輸入電容：2000PF
輸出電容：450PF
反向傳輸電容：32.5PF
開通延遲時(shí)間：12nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：41nS
上升時(shí)間：33ns
下降時(shí)間：12ns
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