50n06場效應管參數,60v50a,to252,KIA50N06CD-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-20
50n06場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，采用KIA半導體LVMosfet技術制造，低導通電阻RDS(開啟) 11mΩ，通過優化工藝和單元結構設計，有效降低導通狀態電阻，顯著提升開關性能；具有低柵極電荷、低交叉導通電流、快速開關、增強dv/dt響應能力，在運行中高效穩定可靠；廣泛應用于不間斷電源系統及逆變器系統的電源管理領域；封裝形式：TO-252，散熱出色。
漏源電壓：60V
漏極電流：50A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：200A
單脈沖雪崩能量：405MJ
功率耗散：90W
閾值電壓：1.6V
總柵極電荷：52nC
輸入電容：2450PF
輸出電容：170PF
反向傳輸電容：130PF
開通延遲時間：15nS
關斷延遲時間：180nS
上升時間：72ns
下降時間：79ns
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