2n65場效應管,650v2a,to252,KIA2N65HD參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-15
KIA2N65HD場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流2A，采用KIA先進平面條紋DMOS技術制造，可顯著降低導通電阻、提升開關性能，并在雪崩模式和換向模式下具備優異的高能脈沖耐受能力；低導通電阻RDS(開啟) 4.3Ω，最大限度地減少損耗；具有低柵極電荷（典型值6.5nC）、高抗干擾能力、快速開關、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，高效穩定可靠；特別適用于高效開關電源及基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正系統等；封裝形式：TO-252。
漏源電壓：650V
漏極電流：2A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：7.5A
單脈沖雪崩能量：100MJ
功率耗散：42W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：6.5nC
輸入電容：275PF
輸出電容：30PF
反向傳輸電容：2PF
開通延遲時間：10nS
關斷延遲時間：40nS
上升時間：30ns
下降時間：40ns
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