fet類型:JFET,MOSFET,MODFET,MESFET詳解-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-09-23
FET(場效應晶體管)主要分為結型場效應管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)和金屬-半導體場效應管(MESFET)、調制摻雜場效應管(MODFET)等。
FET的定義
FET (Field Effect Transistor,場效應晶體管)是一種通過電場效應控制輸出電流的單極型半導體器件,僅由多數載流子(電子或空穴)參與導電過程,屬于電壓控制型器件。
主要類型及特點
結型場效應管(JFET)
結構:由N型或P型半導體棒構成,柵極通過PN結控制溝道電流。
分類:N溝道(電子導電)和P溝道(空穴導電),均為耗盡型(零柵壓時導通)。
特點:輸入阻抗高、噪聲低,但開關速度較慢。
金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)
結構:柵極與溝道間通過絕緣層(如二氧化硅)隔離,分為增強型(零柵壓截止)和耗盡型(零柵壓導通)。
N溝道MOSFET:柵極正電壓形成電子溝道。
P溝道MOSFET:柵極負電壓形成空穴溝道。
金屬-半導體場效應管(MESFET)
結構:柵極采用金屬-半導體接觸(非PN結),常用砷化鎵材料。
應用:高頻射頻(RF)和微波電路。

調制摻雜場效應管(MODFET)
MODFET(Modulation-DopedFET)調制摻雜場效應管,也稱HEMT(Electron-Mobility Transistor)高電子遷移率晶體管,也稱TEGFET(two-dimensional electron-gas FET)二維電子氣場效應晶體管,也稱SDHT(Selectively Dopd Heterojuntion transistor)選擇摻雜異質結晶體管。
它使用兩種具有不同能隙的材料形成異質結,為載流子提供溝道,而不像金屬氧化物半導體場效應管那樣,直接使用摻雜的半導體而不是結來形成導電溝道,即它與MOSFET的結構不同在于導電溝道材料不同。
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持
免責聲明:網站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯系刪除。
