適配器充電器mos,1000v場效應管,KNP43100A參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-17
KNP43100A場效應管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流4A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.2Ω，低柵極電荷最小化開關損耗，在承受高電壓和高電流方面表現出色；低反向傳輸電容，開關速度快，快速恢復體二極管，高效率低損耗，符合RoHS標準，穩定可靠；廣泛應用于適配器、充電器、SMPS待機電源等；封裝形式：TO-220，散熱良好。
漏源電壓：1000V
漏極電流：4A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：16A
單脈沖雪崩能量：450MJ
功率耗散：33W
閾值電壓：3-5V
總柵極電荷：36nC
輸入電容：1470PF
輸出電容：155PF
反向傳輸電容：21PF
開通延遲時間：20nS
關斷延遲時間：28nS
上升時間：23ns
下降時間：26ns
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