KIA24N50H替代24n50場效應(yīng)管參數(shù),500V 24A,中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-21
KIA24N50H場效應(yīng)管采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。KIA24N50H可以替代24n50型號應(yīng)用在開關(guān)電源、LED驅(qū)動、逆變器、電動車控制器中。
KIA24N50H場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流24A，低導(dǎo)通電阻RDS（ON）=0.16Ω@VGS=10v，低柵極電荷（典型90nC），使開關(guān)損耗最小化，提高效率；具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力，穩(wěn)定可靠；封裝形式： TO-3P。
漏源電壓：500V
漏極電流：24A
漏源通態(tài)電阻：0.16Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：96A
雪崩能量單脈沖：1150MJ
功率耗散：290W
總柵極電荷：90nC
輸入電容：3500PF
輸出電容：520PF
開通延遲時間：100nS
關(guān)斷延遲時間：200nS
上升時間：250ns
下降時間：150ns
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