25n06場效應管參數代換,60V 25A,KIA30N06B參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-18
KIA30N06B場效應管采用先進的高單元密度溝槽技術，漏源擊穿電壓60V，漏極電流25A，RDS（開啟）=25mΩ@VDS=60V，具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應下降以及100%EAS保證、綠色設備可用，穩定可靠，能夠在各種應用場景下發揮穩定的作用；KIA30N06B能夠代換25n06場效應管，在高頻負載點同步降壓變換器、聯網DC-DC電源系統、負載開關中應用，封裝形式：TO-251、TO-252。
漏源電壓：60V
漏極電流：25A
漏源通態電阻(RDS(on))：25mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：50A
雪崩能量單脈沖：34.5MJ
總功耗：34.7W
總柵極電荷：12.56nC
輸入電容：1345PF
輸出電容：72.5PF
開通延遲時間：8nS
關斷延遲時間：24.4nS
上升時間：14.2ns
下降時間：4.6ns
KIA30N06B是一款高性能的N溝道MOSFET，具有極高的單元密度，為大多數同步降壓轉換器應用提供了出色的RDSON和柵極電荷。KIA30N06B符合RoHS和綠色產品要求，100%EAS保證，全功能可靠性獲得批準。
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