電源適配器mos管,KNX6140S場效應管參數原廠現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-18
電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET，漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，RDS（開啟）典型值=0.53Ω@VGS=10V，較低的導通電阻，可最大限度地減少導通損耗，具有超低柵極電荷，出色的改進的dvdt功能，以及高堅固性、快速切換等特性，100%雪崩測試，確保性能穩定可靠。
KNX6140S專為高壓、高速功率開關應用而設計，如開關穩壓器、開關轉換器、螺線管、電機驅動器、繼電器驅動器等。封裝形式：TO-220F/TO-220，散熱良好，安裝方便。
漏源電壓：400V
漏極電流：11A
漏源通態電阻(RDS(on))：0.53Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：44A
雪崩能量單脈沖：365MJ
總功耗：40.2/194.5W
總柵極電荷：15.7nC
輸入電容：980PF
輸出電容：140PF
開通延遲時間：33.5nS
關斷延遲時間：83nS
上升時間：31.5ns
下降時間：56ns
聯系方式：鄒先生
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