P30v mos管,30V PMOS管,低壓MOS場效應(yīng)管,國產(chǎn)廠家-KIA MOS管

P30v mos管,30V PMOS管參數(shù)

P30v mos管,30V PMOS管

P30v MOS,KIA3409參數(shù)引腳圖

KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）和低柵極電荷。該器件適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA3409不含鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）。

VDS(V)=-30V

ID=-2.6A

RDS(on)<130mΩ(VGS=-10V,ID=-2.6A)

RDS(on)<200mΩ(VGS=-4.5V,ID=-2.0A)

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P30v MOS,KPE4403A參數(shù)引腳圖

漏極電流 (ID) ：-5.0A

漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-30V

柵極電荷（Qg）：6.5 nC

功耗 (PDM) ：1.5W

RDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=10 V

KPE4403A特點(diǎn)：

綠色設(shè)備可用

超低柵極電荷

出色的Cdv/dt效應(yīng)下降

先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)

KPE4403A是高單元密度溝槽P溝道MOSFET，可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。KNE4403A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求。

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KIA半導(dǎo)體MOS管具備強(qiáng)大的核心競爭力，是開關(guān)電源生產(chǎn)廠家的優(yōu)質(zhì)選擇。KIA半導(dǎo)體MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營：場效應(yīng)管（MOS管）、COOL MOS（超結(jié)場效應(yīng)管）、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管；廣泛應(yīng)用于逆變器、鋰電池保護(hù)板、電動(dòng)車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機(jī)、礦機(jī)電源、工業(yè)電源、適配器、3D打印機(jī)等領(lǐng)域；可申請(qǐng)免費(fèi)送樣以及報(bào)價(jià)、技術(shù)支持服務(wù)。

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