2804場效應管參數,引腳圖,150A 40V參數,KNX2804C-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-07
KNX2804C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進的溝槽MOS技術，具有極低的導通電阻RDS（接通），能夠實現高效的電路控制；2804場效應管RDS（ON）為3.0mΩ，在10V的VGS條件下表現出優異的性能，在電機控制、驅動系統、電池管理以及不間斷電源等領域有著廣泛的應用前景。
2804場效應管具有出色的QgxRDS（on）產品（FOM），為電子設備提供了穩定可靠的支撐，在功耗控制、電力驅動、電氣安全領域，都展現出卓越的性能和穩定性，提高了電路的穩定性和效率。KNX2804C封裝形式：TO-220、TO-263。
漏源電壓：40V
漏極電流：150A
漏源通態電阻(RDS(on))：3.0mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：225MJ
最大功耗：230W
輸入電容：5900PF
輸出電容：690PF
總柵極電荷：120nC
開通延遲時間：28nS
關斷延遲時間：110nS
上升時間：68ns
下降時間：32ns
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