10N80E參數,10n80參數及代換,KIA10N80H參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-20
漏極電流（ID）：10A
漏極和源極電壓（VDSS）：800V
漏極和源極通態電阻（RDS(on)）：0.85Ω
耗散功率（PD）：42W
封裝：TO-220F
KIA10N80H功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進技術經過特別定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
KIA10N80H場效應管漏極電流可達10A，漏源擊穿電壓高達800V，在10V的VGS下，RDS（開）僅為0.85Ω，顯示出優異的導通特性；低柵極電荷，僅為63nC，有利于減小開關過程中的功耗損耗；堅固性強，可靠性高，能夠適應各種嚴苛的工作環境；以及具備快速切換能力，使得在高頻率操作時仍能保持穩定可靠的性能；指定的雪崩能量和改進的dv/dt能力，保證了在各種工作條件下都能穩定可靠地工作；ESD改進的能力在靜電干擾下仍能保持正常功能，適用于各種應用場景，是電子器件領域中的一款高性能元件。
漏源電壓：800V
柵源電壓：±25V
漏電流連續：10A
脈沖漏極電流：40A
雪崩能量：350mJ
耗散功率：42W
熱電阻：62.5℃/W
溫度系數：0.8V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：2230 PF
輸出電容：135 PF
上升時間：35 ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
