12n65場效應管參數代換,12n65場效應管引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-15
KIA12N65H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。KIA12N65H場效應管漏極電流12A，漏源擊穿電壓650V，RDS（on）為0.63?，在VGS為10V時表現出色、低柵極電荷，典型值為52nC，使得它在高頻率下仍能表現穩定、快速切換能力在電路中能夠迅速響應信號變化，確保信號傳輸的準確性、雪崩能量規定和改進的dv/dt能力增強了穩定性及安全性，保障電路運行的穩定性。
KIA12N65H封裝形式：TO-220F，適用于開關電源和LED驅動等場景，使其在各種應用中都能夠發揮出色的效果。KIA12N65H場效應管不僅在性能上有著出色的表現，同時在穩定性和安全性方面也具備了極高的標準，能夠滿足各種復雜電路的需求。
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：12.0*A
脈沖漏極電流：48.0*A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1850 PF
輸出電容：180 PF
上升時間：90 ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
