電機MOS管,KNG3404D,KNG3404D場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-05
KNG3404D場效應管漏極電流80A，漏源擊穿電壓為40V，具有出色的性能指標；RDS（ON）=4.4mΩ（典型值）@VGS=10V，極低的導通電阻，有助于降低功耗和提升效率；還具有改進的dv/dt能力以及低Crss，能夠實現快速切換，同時經過100%雪崩測試，保證了其可靠性；適用于PWM應用、電源管理以及負載開關等場景。
KNG3404D場效應管是一款性能優越的電子器件，封裝形式：DFN3*3；無論是在需要高效能管理的領域，還是在要求穩定可靠的環境中，KNG3404D場效應管都能展現出卓越的表現，滿足各種需求。
漏源電壓：40V
漏極電流：80A
漏源通態電阻(RDS(on))：4.4mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：104MJ
最大功耗：36.7W
輸入電容：3045PF
輸出電容：388PF
反向傳輸電容：234PF
開通延遲時間：6nS
關斷延遲時間：23nS
上升時間：17ns
下降時間：12ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
