6n60場效應(yīng)管,6n60場效應(yīng)管參數(shù),4560A中文資料-KIA MOS管

6n60場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

正向電流：6A

反向耐壓：600V

漏極和源極電壓(VDSS)：600V

漏極和源極通態(tài)電阻(RDS(on))：1.2Ω

耗散功率(PD)：125W

6n60場效應(yīng)管參數(shù)代換,KND4560A資料

KND4560A場效應(yīng)管漏源電壓600V，漏極電流6A，RDS（ON）為1.4Ω（在VGS=10V時的典型值）；具有TO-251、252封裝形式可供選擇，方便安裝使用。KND4560A能夠替代士蘭微、ST、華晶的SVF6N60D、STF6N60、CS6N60A3型號進行使用，是一款優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定、性價比高的國產(chǎn)MOS管。

6n60場效應(yīng)管參數(shù)

KND4560A采用低柵極電荷最小化設(shè)計，能夠快速開關(guān)，保證電路的穩(wěn)定性；快速恢復(fù)體二極管，有效防止電壓反向時的損壞，保護整個電路系統(tǒng)。符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，具有優(yōu)良的性能和可靠性；能夠有效降低開關(guān)損耗，提高電路效率。

6n60場效應(yīng)管參數(shù)代換,KND4560A參數(shù)

漏源電壓：600V

漏極電流：6A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：1.4Ω

柵源電壓：±30V

脈沖漏電流：24A

雪崩能量單脈沖：250MJ

最大功耗：83W

輸入電容：700PF

輸出電容：75PF

反向傳輸電容：8PF

開通延遲時間：10nS

關(guān)斷延遲時間：32nS

上升時間：13ns

下降時間：16ns

6n60場效應(yīng)管參數(shù)代換,KND4560A規(guī)格書

6n60場效應(yīng)管參數(shù)

KND4560A場效應(yīng)管適用于適配器、充電器、SMPS備用電源等多種場合，廣泛應(yīng)用于電源管理、電子設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域。其性能穩(wěn)定可靠，反應(yīng)速度快，能夠滿足高效能、高頻率等需求。小巧的封裝設(shè)計，使其在電路板上占據(jù)較小空間，有利于整體設(shè)計的緊湊性。優(yōu)化的工藝技術(shù)確保了其穩(wěn)定性和可靠性，為各種電源管理應(yīng)用提供了可靠的解決方案。

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