調光器模塊mos管,KNX7650A場效應管,500V 25A參數(shù)資料-KIA MOS管

調光器模塊mos管,KNX7650A場效應管

KNX7650A場效應管采用高級平面工藝制造，具備漏源電壓500V和漏極電流25A的特性，RDS（ON）（典型值）為170mΩ@VGS=10V，封裝形式：TO-220F、TO-3P；KNX7650A是一款在電氣設備、調光器模塊、充電模塊領域的專用MOS管。

調光器模塊mos管,KNX7650A場效應管

KNX7650A場效應管采用了加固多晶硅柵極結構，具備低柵極電荷最小化和開關損耗低的特點，使其能夠在高效開關電源、無刷直流電機驅動器以及電焊機等應用中發(fā)揮重要作用。通過使用KNX7650A場效應管，可以使這些設備的性能得到提升，同時還能提高系統(tǒng)的效率。

調光器模塊mos管,KNX7650A場效應管參數(shù)：

漏源電壓：500V

漏極電流：25A

柵源電壓：±30V

脈沖漏電流：100A

雪崩能量單脈沖：1800MJ

最大功耗：105/290W

輸入電容：4280pF

輸出電容：1400pF

反向轉移電容：185pF

開通延遲時間：24nS

關斷延遲時間：100nS

上升時間：40ns

下降時間：35ns

調光器模塊mos管,KNX7650A場效應管規(guī)格書

調光器模塊mos管,KNX7650A場效應管

KIA半導體主營半導體產(chǎn)品豐富，是一家國產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、超結場效應管、碳化硅二極管、碳化硅場效應管、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術企業(yè)。