?汽車LED透鏡MOS管,KNX3703A場效應管參數,中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-01-18
KNX3703A是一款采用先進的溝槽工藝技術的N溝道增強型場效應管，這款mosfet是具有超低導通電阻的高密度電池設計、完全表征雪崩電壓和電流、卓越的開關性能。
KNX3703A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，RDS（開啟）（典型值）=7.5mΩ，VGS=10V，封裝形式：DFN3*3、DFN5*6。
汽車LED透鏡熱銷場效應管KNX3703A，具備優異的性能和可靠的品質，超低導通電阻，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗等特性，KNX3703A場效應管在MB/NB/UMPC/VGA高頻點負載同步降壓變換器、聯網DC-DC電源系統、負載開關等領域廣泛應用，高效優質，性能穩定。
漏源極電壓：30V
漏極電流：50A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：200A
最大功耗：46/28W
柵極閾值電壓：1.5V
輸入電容：1300PF
輸出電容：270 PF
開通延遲時間：12nS
關斷延遲時間：32nS
上升時間：4ns
下降時間：6ns
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KIA半導體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關電源生產廠家的優質選擇。KIA半導體MOS管廠家主要研發、生產、經營：場效應管（MOS管）、COOL MOS（超結場效應管）、三端穩壓管、快恢復二極管；廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業電源、適配器、3D打印機等領域；可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。
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