低壓MOS管KNX8606B,35A 60V,超低內阻場效應管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-25
KNX8606B 35a 60v參數這款功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產的。
這項先進的技術經過特別定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設備非常適合低電壓應用，例如DC/DC轉換器和用于便攜式和電池操作產品中的功率管理的高效開關。
KNX8606B場效應管漏源擊穿電壓高達60V，漏極電流35A，RDS（開）典型值=15mΩ@VGS=10V；具有低柵極電荷（典型33nC）、高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力等特性，高效率低損耗。
KNX8606B 35a 60v場效應管性能出色，適用于多種應用領域；廣泛應用于電源適配器、LED電源、DC/DC轉換器等產品。KNX8606B的封裝形式：TO-252，方便安裝和使用。KNX8606B是由KIA半導體原廠直銷的，保證了產品的質量和可靠性。
漏源電壓：60V
漏極電流：35A
柵源電壓（連續）：±20V
脈沖漏極電流：80A
雪崩能量：450mJ
功耗：60W
柵極閾值電壓：2.5V
輸入電容：2800 PF
輸出電容：200 PF
開通延遲時間：15nS
關斷延遲時間：60nS
上升時間：105 ns
下降時間：65ns
KIA半導體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關電源生產廠家的優質選擇。KIA半導體MOS管廠家主要研發、生產、經營：場效應管（MOS管）、COOL MOS（超結場效應管）、三端穩壓管、快恢復二極管；廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業電源、適配器、3D打印機等領域；可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。
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