nce0117k參數,nce0117k代換,KIA6110A中文資料-KIA MOS管

nce0117k參數,引腳圖

VDS=100V，ID=17A

RDS（on）<70mΩ @ VGS=10V（Typ：56mΩ)

RDS（on）<85mΩ @ VGS=4.5V（Typ：65mΩ)

漏源電壓(Vdss)：100V

連續漏極電流(Id)：17A

功率(Pd)：55W

導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,5A

閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA

nce0117k參數,nce0117k代換

KIA6110A代換nce0117k參數資料

KIA6110是性能出色的溝槽N溝道MOSFET，先進的高單元密度溝槽技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應設計等特性，可為大多數同步降壓轉換器應用提供出色的RDSON和柵極電荷。KIA6110A 12A 100V場效應管能夠代換nce0117k型號使用，高效穩定。

KIA6110A 12A 100V場效應管封裝形式：TO-252/251，出色的封裝，散熱良好，符合RoHS和綠色產品要求，100%EAS保證，全功能可靠性獲得批準。KIA6110A廣泛應用于防盜器、LED驅動、霧化器等產品；其他熱銷領域有負載同步降壓變換器高頻點、聯網DC-DC電源系統、負載開關等。

nce0117k參數,nce0117k代換

KIA6110A代換nce0117k參數

漏源電壓：100V

柵源電壓：±20V

漏電流連續：12A

脈沖漏極電流：24A

雪崩電流：11A

雪崩能量：7.3mJ

耗散功率：34.7W

熱電阻：3.6℃/W

漏源擊穿電壓：100V

溫度系數：0.098V/℃

柵極閾值電壓：1.0V

輸入電容：1535 PF

輸出電容：60 PF

上升時間：8.2 ns

KIA6110A代換nce0117k規格書

nce0117k參數,nce0117k代換

KIA半導體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關電源生產廠家的優質選擇。KIA半導體MOS管廠家主要研發、生產、經營：場效應管（MOS管）、COOL MOS（超結場效應管）、三端穩壓管、快恢復二極管；廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業電源、適配器、3D打印機等領域；可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。

聯系方式：鄒先生

聯系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管技術幫助

免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。