小家電控制板,30V 50A,NCE3050 場效應管替代-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-10-09
KIA50N03A場效應管是采用KIA半導體先進工藝制造，具有較低的導通電阻、優越的開關性能、極高的雪崩擊穿耐量，可最大限度地減少導通損耗，卓越高效。KIA50N03A可完美替代NCE3050，非常適合應用于小家電控制板；KIA50N03A漏源擊穿電壓30V, 漏極電流最大值為50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ),ID=50A，封裝形式：TO-252。
KIA50N03A
VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A
Vds=30V
RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
先進的溝槽處理技術
超低導通電阻的高密度電池設計
全特性雪崩電壓和電流
KIA50N03A應用領域：
1、電源切換應用
2、開關和高頻電路
3、不間斷電源
產品型號：KIA50N03A
工作方式：50A/30V
漏源極電壓:30V
柵源電壓:±20V
連續漏電流：50A
脈沖漏電流 ：200A
操作接頭和存儲溫度范圍:-55℃至150℃
結對殼熱阻：1.8℃/W
對周圍環境的電阻:50℃/W
以下為KIA50N03A產品PDF格式的產品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
