nce65t540參數(shù)代換,引腳圖,6165C場效應(yīng)管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-19
KNF6165C最高承受電壓可達650V，漏極電流最大值為10A，柵源電壓：±20V，脈沖漏極電流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V；封裝形式：TO-220F；腳位排列位GDS。KNF6165C溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計，如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。6165C 650V 10A場效應(yīng)管能夠代替nce65t540型號產(chǎn)品，高效質(zhì)優(yōu)，國產(chǎn)原廠。
快速切換
RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V
低柵極電荷
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
KIA從研發(fā)設(shè)計到制造封裝，再到倉儲和物流等擁有專業(yè)的團隊，讓客戶從一個想法變成成品，讓客戶產(chǎn)品亮點無限擴大的一體化服務(wù)。
KIA本著“攜手客戶，創(chuàng)新設(shè)計，共同提升，服務(wù)市場”的理念，期待在您的大力支持下，使KIA成為MOSFET器件領(lǐng)域的優(yōu)秀mos管品牌。
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