場效應(yīng)管1000v 13a 64100A引腳圖 mos管參數(shù)-KIA MOS管

KNX64100A場效應(yīng)管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為13A；RDS (on) = 0.85mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關(guān)損耗，低反向傳輸電容，開關(guān)速度快等優(yōu)點，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換，電機控制等。封裝形式：TO-247；腳位排列位GDS。

場效應(yīng)管1000v 13a 64100A-特點

快速切換

RDS（ON），典型=0.85Ω@VGS=10V

低柵極電荷最小化開關(guān)損耗

快速恢復(fù)體二極管

場效應(yīng)管1000v 13a 64100A-應(yīng)用

DC-DC轉(zhuǎn)換器

直流斬波器

交流電機控制

場效應(yīng)管1000v 13a 64100A-封裝圖

場效應(yīng)管1000v 64100A

場效應(yīng)管1000v 13a 64100A-參數(shù)

場效應(yīng)管1000v 64100A

KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

場效應(yīng)管1000v 64100A